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  • 三級承試設備/高壓介質(zhì)損耗測試儀
    三級承試設備/高壓介質(zhì)損耗測試儀

    三級承試設備/高壓介質(zhì)損耗測試儀測量結果由大屏幕液晶顯示,自帶微型打印機可打印輸出。標準回路由內置高壓穩定度標準電容器與標準電阻網(wǎng)絡(luò )組成。

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  • 優(yōu)質(zhì)高壓介質(zhì)損耗測試儀廠(chǎng)家
    優(yōu)質(zhì)高壓介質(zhì)損耗測試儀廠(chǎng)家

    高壓介質(zhì)損耗測試儀采用變頻抗干擾和傅立葉變換數字濾波技術(shù),全自動(dòng)智能化測量,強干擾下測量數據非常穩定。測量結果由大屏幕液晶顯示,自帶微型打印機可打印輸出。優(yōu)質(zhì)高壓介質(zhì)損耗測試儀廠(chǎng)家

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  • 變頻抗干擾高壓介質(zhì)損耗測試儀
    變頻抗干擾高壓介質(zhì)損耗測試儀

    變頻抗干擾高壓介質(zhì)損耗測試儀,本儀器是一種測量介質(zhì)損耗(tgδ)和電容容量(Cx)的儀器,用于工頻高壓下,測量各種絕緣材料、絕緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設備的介質(zhì)損耗(tgδ)和電容容量(Cx)。

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  • 超輕型高壓介質(zhì)損耗測試儀
    超輕型高壓介質(zhì)損耗測試儀

    超輕型高壓介質(zhì)損耗測試儀體積小,重量Z輕,便于攜帶。有靈活的擴展性,通過(guò)接口與計算機連接,使用強大的軟件附件,對儀器升級,人性化設計,全自動(dòng)操作本儀器適合500kv及以下電站有干擾現場(chǎng)的試驗

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  • 高壓介質(zhì)損耗測試儀*
    高壓介質(zhì)損耗測試儀*

    ZYDQ8820-高壓介質(zhì)損耗測試儀*是發(fā)電廠(chǎng)、變電站等現場(chǎng)或實(shí)驗室測試各種高壓電力設備介損正切值及電容量的高精度測試儀器。儀器為一體化結構,內置介損測試電橋,可變頻調壓電源,升壓變壓器和SF6 高穩定度標準電容器。

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  • 揚州高壓介質(zhì)損耗測試儀廠(chǎng)家/價(jià)格
    揚州高壓介質(zhì)損耗測試儀廠(chǎng)家/價(jià)格

    揚州高壓介質(zhì)損耗測試儀廠(chǎng)家/價(jià)格 精密智能變壓器,數據采集電路全部采用高壓穩定器件,采集板和采集計算機被鐵盒*浮空屏蔽,儀器外殼接地屏蔽;另外使用了光導數據、浮空地、大面積地、單點(diǎn)地、數字濾波等抗干擾技術(shù),加之計算機對數百個(gè)電網(wǎng)周期的數據進(jìn)行處理,使測量結果穩定、精確、可靠。

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  • 四級電力資質(zhì)-高壓介質(zhì)損耗測試儀
    四級電力資質(zhì)-高壓介質(zhì)損耗測試儀

    四級電力資質(zhì)-高壓介質(zhì)損耗測試儀,標準回路由內置高壓穩定度標準電容器與標準電阻網(wǎng)絡(luò )組成,由計算機實(shí)時(shí)采集標準回路電流與測試回路的電流幅值及其相位差,并算出被測試品電容容值(CX)和介質(zhì)損耗(tgδ)。

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  • 高壓介質(zhì)損耗測試儀資質(zhì)設備
    高壓介質(zhì)損耗測試儀資質(zhì)設備

    高壓介質(zhì)損耗測試儀資質(zhì)設備,采用變頻電源技術(shù),利用單片機和電子技術(shù)進(jìn)行自動(dòng)頻率變換、模/數轉換和數據運算,達到抗干擾能力強、測試速度快、精度高、操作簡(jiǎn)便的功能。

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  • 優(yōu)質(zhì)抗干擾介質(zhì)損耗測試儀
    優(yōu)質(zhì)抗干擾介質(zhì)損耗測試儀

    優(yōu)質(zhì)抗干擾介質(zhì)損耗測試儀是一種先進(jìn)的測量介質(zhì)損耗(tgδ)和電容器容量(Cx)的儀器,用于工頻高壓下,測量各種絕緣材料、絕緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設備的介質(zhì)損耗,(tgδ)和電容器容量(Cx)它淘汰了 QS 高壓電橋。具有操作簡(jiǎn)單、中文顯示、打印、使用方便、無(wú)需換算、自帶高壓、抗干擾能力強、測試時(shí)間(在國內同類(lèi)產(chǎn)品中速度zui快)體積小、重量輕等特點(diǎn)。

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  • 四級電力資質(zhì)-抗干擾介質(zhì)損耗測試儀
    四級電力資質(zhì)-抗干擾介質(zhì)損耗測試儀

    四級電力資質(zhì)-抗干擾介質(zhì)損耗測試儀是一種先進(jìn)的測量介質(zhì)損耗(tgδ)和電容容量(Cx)的儀器,用于工頻高壓下,測量各種絕緣材料、絕緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設備的介質(zhì)損耗(tgδ)和電容容量(Cx)。

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